Investigadores de la FIUNA publicaron artículo en reconocida revista científica internacional

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Docentes investigadores de la Facultad de Ingeniería de la Universidad Nacional de Asunción (FIUNA) realizaron la publicación de un artículo científico en la revista International Journal of Electronics Letters (IJEL). El principal aporte de este trabajo denominado “Efficiency Analysis of a Modular H-Bridge based on SiC MOSFET” ha sido el análisis teórico y experimental de un nuevo semiconductor de potencia basado en tecnología de carburo de silicio.

El International Journal of Electronics Letters es una revista reconocida mundialmente, dedicada a la difusión de nuevos conceptos y desarrollos en el amplio e interdisciplinario campo de la electrónica. Sus artículos se enfocan en aplicaciones técnicas y desarrollo de investigaciones a la vanguardia de la disciplina.

El artículo publicado fue realizado por los docentes investigadores MSc. Ing. Julio Pacher, Prof. Dr. Jorge E. Rodas Benítez, Prof. Dr. Raúl Gregor, MSc. Ing. Alfredo Renault y el MSc. Ing. Leonardo Comparatore, todos adscritos al Laboratorio de Sistemas de Potencia y Control (LSPyC), dependiente de la Dirección de Investigación de la FIUNA. Asimismo, el trabajo de investigación contó con la colaboración del Prof. Dr. Marco Rivera perteneciente a la Universidad de Talca (Chile).

Este trabajo encuentra aplicación práctica en proyectos de investigación desarrollados por la FIUNA en el campo de la mejora de la calidad de red, mediante filtros activos de potencia del tipo shunt para la compensación simultánea de armónicos en corriente, factor de potencia y consecuentemente de la potencia reactiva.

El artículo fue publicado en el marco del proyecto de investigación denominado “Análisis, diseño e implementación de nuevos sistemas de compensación basados en filtros activos para la mejora de la calidad de la potencia eléctrica” financiado por el Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (CONACYT).

 

Fuentes: Conacyt y FIUNA

AG